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由于杂质在SiC中的扩散系数很低,所以制备SiC器件欧姆接触所需要的高掺杂区必须采用离子注入技术.本文采用蒙特卡罗模拟软件TRIM模拟得出不同能量不同剂量六次注入杂质的纵向分布图,根据大量文献数据和国内现有的制备水平,提出制备n型SiC欧姆接触最优的工艺流程.
离子注入制备n型SiC欧姆接触的工艺研究
【摘 要】
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由于杂质在SiC中的扩散系数很低,所以制备SiC器件欧姆接触所需要的高掺杂区必须采用离子注入技术.本文采用蒙特卡罗模拟软件TRIM模拟得出不同能量不同剂量六次注入杂质的纵向
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2005年4期
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