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MEMS封装V形腔阵列的研究与制备
MEMS封装V形腔阵列的研究与制备
来源 :微纳电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:flame_earth
【摘 要】
:
MEMS器件封装时,为了给具有活动装置的MEMS器件提供足够的空间,需要在封装的帽层上刻蚀出V形腔结构.本文利用V形槽工艺,制作出适合于硅片上大面积MEMS芯片封装用V形腔阵列.SE
【作 者】
:
李雄
徐智谋
易新建
何少伟
【机 构】
:
华中科技大学光电子工程系光信教研室
【出 处】
:
微纳电子技术
【发表日期】
:
2004年1期
【关键词】
:
MEMS
封装
V形腔阵列
Si3N4薄膜
光刻
化学腐蚀
反应离子刻蚀
V cavity
array
fabrication
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MEMS器件封装时,为了给具有活动装置的MEMS器件提供足够的空间,需要在封装的帽层上刻蚀出V形腔结构.本文利用V形槽工艺,制作出适合于硅片上大面积MEMS芯片封装用V形腔阵列.SEM照片表明,所做V形腔阵列结构整齐,图形清晰.
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