GaN／InGaN应变层临界厚度的计算

来源 :漳州师范学院学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：zy15400444

【摘要】

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本文主要借鉴PB模型、Fisher模型和Matthews模型并通过优化其中的组分和滑移间距参数，考虑影响临界厚度的相关因素，对GaN／InGaN异质结应变层临界厚度进行理论计算，再结合实验值进

【作者】

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郑江海

【机构】

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漳州师范学院物理与电子信息工程系

【出处】

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漳州师范学院学报(自然科学版)

【发表日期】

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2009年3期

【关键词】

：

异质结应变层临界厚度 heterostructure strain layer critical layer thickness

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本文主要借鉴PB模型、Fisher模型和Matthews模型并通过优化其中的组分和滑移间距参数，考虑影响临界厚度的相关因素，对GaN／InGaN异质结应变层临界厚度进行理论计算，再结合实验值进行比较分析。发现PB模型比较能准确估计GaN／InGaN异质结应变层临界厚度．最后进一步考虑热应力对临界厚度的影响时，发现对其影响不大．

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