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采用一个最近发展起来的产生区宽度模型，导出了描述阶跃电压作用下ＭＯＳ电容器的电容－时间瞬态特性方程，给出了阶跃电压法确定产生寿命的一个计算公式。
阶跃电压法确定产生寿命的计算公式
【摘 要】
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采用一个最近发展起来的产生区宽度模型，导出了描述阶跃电压作用下ＭＯＳ电容器的电容－时间瞬态特性方程，给出了阶跃电压法确定产生寿命的一个计算公式。
【机 构】
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浙江大学材料系
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1997年3期
【基金项目】
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硅材料国家重点实验室资助
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