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,Fabrication of InAlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on Sapphire Substrates by Pulsed Meta
【机 构】
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Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics,Xidian Universi
【出 处】
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中国物理快报（英文版）
【发表日期】
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2016年10期
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