【摘 要】
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为了降低集成电路制造工艺的成本，用计算机辅助工艺设计（TCAD）的方法开发了金属铝栅CMOS工艺．首先利用3μm金属铝栅工艺对模拟软件TSUPREM-4和器件模拟软件MEDICI进行了校准，再对
【机 构】
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东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,无锡华润-上华半导体有限公司
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为了降低集成电路制造工艺的成本，用计算机辅助工艺设计（TCAD）的方法开发了金属铝栅CMOS工艺．首先利用3μm金属铝栅工艺对模拟软件TSUPREM-4和器件模拟软件MEDICI进行了校准，再对金属铝栅1．5μm短沟道CMOS工艺进行器件结构、工艺和电气性能等参数的模拟，以最简约工艺在现有工艺线上成功流水了1．5μm铝栅CMOS．实际测试阈值电压为±0．6V，击穿达到11V，各项指标参数的模拟与实际测试误差在5％以内，并将工艺开发和电路设计结合起来，用电路的性能验证了工艺．利用TCAD方法已成为
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