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在不同条件下采用电容耦合氧等离子体处理用于有机电致发光（OLED）的ITO基片，使用接触电势法测量了基片表面功函数的改变。研究发现，氧等离子体处理可以有效地提高ITO表面的功函数。X射线光电子能谱的测量揭示了其本质：氧等离子体处理可以提高表面氧原子的含量，同时降低ITO表面锡／铟原子的比例，由此导致了ITO表面功函数的提高。高功函数的ITO可降低空穴由ITO向OLED空穴传输层中注入空穴的势垒，从而提高OLED器件的性能。进一步的基于联苯二胺衍生物NPB／8-羟基喹啉铝（Alq3）的标准器件的研究证明了这