LP—MOCVD生长InGaAlP外延层In组分控制的动力学分析

来源 :量子电子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:Glorygwj
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本文分析了低压转盘MOCVD生长室中气流的流动特征,首次提出了在高温(700℃左右)下生长InGaAlP外延层时,抑制In组分脱吸附的“动压力模型”,解释了托盘转速和生长压力等生长参数对In组分控制的影响。
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