【摘 要】
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在室温、10Pa氩气环境氛围中，引入垂直于烧蚀羽辉轴线的外加直流电场，采用脉冲激光烧蚀技术制备了一系列纳米硅晶薄膜，衬底分布于以烧蚀点为圆心的弧形支架上．扫描电子显微镜、喇
【机 构】
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河北大学物理科学与技术学院、河北省光电信息材料重点实验室
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在室温、10Pa氩气环境氛围中，引入垂直于烧蚀羽辉轴线的外加直流电场，采用脉冲激光烧蚀技术制备了一系列纳米硅晶薄膜，衬底分布于以烧蚀点为圆心的弧形支架上．扫描电子显微镜、喇曼散射谱和x射线衍射谱检测结果表明：晶粒平均尺寸随着电压的增加逐渐变大，且靠近接地极板处的晶粒尺寸比与之对称角度处的略大；薄膜中晶粒面密度随着电压的增加先减小后增大而后再减小．
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