【摘 要】
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采用液滴外延技术在平坦GaAs(001)表面上制备GaAs纳米环结构.利用原子力显微镜对其表面形貌进行表征,发现在As压保护下金属Ga液滴晶化过程中,液滴内Ga原子存在向外迁移和向下刻蚀两种扩散行为,且扩散行为均受到衬底温度和As压力大小的影响.其中As压主要影响Ga原子在表面横向扩散,而衬底温度主要影响Ga原子在纵向刻蚀扩散.根据量子环结构形貌演变趋势分析了圆盘半径ΔR、Rp与沉积量的关系,得出形成扩散盘的Ga临界沉积量为10 mL,并总结出采用降温结晶方式制备GaAs同心量子环的工艺方法.
【机 构】
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贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳550025;教育部半导体功率器件可靠性工程中心,贵阳550025;贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳550025;教育部半导体功率器件可靠性工程中心,贵阳55002
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采用液滴外延技术在平坦GaAs(001)表面上制备GaAs纳米环结构.利用原子力显微镜对其表面形貌进行表征,发现在As压保护下金属Ga液滴晶化过程中,液滴内Ga原子存在向外迁移和向下刻蚀两种扩散行为,且扩散行为均受到衬底温度和As压力大小的影响.其中As压主要影响Ga原子在表面横向扩散,而衬底温度主要影响Ga原子在纵向刻蚀扩散.根据量子环结构形貌演变趋势分析了圆盘半径ΔR、Rp与沉积量的关系,得出形成扩散盘的Ga临界沉积量为10 mL,并总结出采用降温结晶方式制备GaAs同心量子环的工艺方法.
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