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研究了MEMS中的悬空薄膜制备技术．用浓硼扩散自终止腐蚀法和PECVD淀积法分别进行了试验，得到了宽厚比为3000：1的悬空浓硼Si薄膜和宽厚比为9000：1的SiNx薄膜．对它们的力学特性进行了分析，用纳米硬度计测量了薄膜的杨氏模量．比较了两种方法的优劣．
大宽厚比悬空薄膜的制备与性能分析研究
【摘 要】
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研究了MEMS中的悬空薄膜制备技术．用浓硼扩散自终止腐蚀法和PECVD淀积法分别进行了试验，得到了宽厚比为3000：1的悬空浓硼Si薄膜和宽厚比为9000：1的SiNx薄膜．对它们的力学特性进行
【机 构】
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北京工业大学电子信息与控制工程学院、北京市光电子技术实验室
【出 处】
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传感技术学报
【发表日期】
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2006年05A期
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