SiCGe／3C-SiC异质结光控达林顿晶体管的设计与仿真

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：usernameing

【摘要】

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针对抗电磁干扰的需要提出了一种由SiCGe／3C-SiC异质结构成的光控达林顿晶体管设计．用多维器件模拟软件ISE对这种新型功率开关进行了特性仿真，结果表明，与采用其他结晶类型的碳化

【作者】

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陈治明任萍蒲红斌

【机构】

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西安理工大学电子工程系

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2006年2期

【关键词】

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SiCGe SIC 异质结达林顿晶体管 SiCGe SiC hetero-junction Darlington transistor

【基金项目】

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国家自然科学基金（批准号：60376011,60576044）和高等学校博士学科点专项科研基金（批准号：20040700001）资助项目

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针对抗电磁干扰的需要提出了一种由SiCGe／3C-SiC异质结构成的光控达林顿晶体管设计．用多维器件模拟软件ISE对这种新型功率开关进行了特性仿真，结果表明，与采用其他结晶类型的碳化硅衬底相比，SiCGe与3C-SiC间较小的晶格失配有利于提高器件性能，可使其最大共射极电流增益达到890，获得最好的光触发特性和较好的I-V特性，饱和压降大约为4V，

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