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对两类未故意掺杂GaN样品,用He-Cd激光器325 nm线激发,进行光致发光性能测试,发现表面呈浅白色的样品出现一个新的发光峰,该峰在300K时位于3.146 eV处.对此类样品进行变激发密度光致发光谱测试,发现此峰的峰位不随激发密度的变化而发生移动,其发光峰强与激发密度呈超线性关系.据此,把这一发光峰归结为导带电子到一种新受主能级的复合,并测得此受主离化能为(299±10)meV.