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以乙酰丙酮铱为沉积源物质，采用化学气相沉积法在金属钼基体上制备铱薄膜，研究基体加热温度对铱薄膜沉积速率的影响。发现铱在钼基体的生长规律不符合Arrhenius公式，当Tsub低于750℃时，Dr随Tsub的上升而直线增加；而当Tsub高于750℃，Dr则随Tsub的上升而呈直线降低，Dr值在750℃时达到最大。SEM研究表明，铱薄膜以约0．1μm的颗粒沉积生长，表面形貌与钼基体表面加工痕迹相对应，铱薄膜中的氧含量与沉积过程通入的氧气流量有关。