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介绍高压绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）的终端和单元的设计与制造技术；实验验证了两种用于１０００～１２００ＶＩＧＢＴ的高压终端，研制的芯片获得了７．５Ａ，耐压１１５０Ｖ的实验结果。
高压IGBT的研制
【摘 要】
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介绍高压绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）的终端和单元的设计与制造技术；实验验证了两种用于１０００～１２００ＶＩＧＢＴ的高压终端，研制的芯片获得了７．５Ａ，耐压１１５０Ｖ的实验结果。
【机 构】
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西安交通大学,电子与信息工程学院,微电子研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1995年3期
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