多晶硅薄膜晶体管RPI模型的直流参数提取

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多晶硅薄膜晶体管(TFT)在有源液晶显示器中的应用充分显示了它的性能优点.对多晶硅TFT进行模型分析和参数提取是理解多晶硅TFT工作原理和指导制备的有效途径.归纳并讨论了多晶硅薄膜晶体管RPI模型直流参数的提取策略.此参数提取步骤简单,并能准确地提取所有工作区的基本直流参数,如阈值电压、漏源区串联寄生电阻、有效沟道长度、迁移率等.参数提取的方法将为RPI模型的电路仿真提供有益的参考.最后,提出了改进RPI模型参数提取策略的方向,包括提高泄漏电流参数、迁移率参数的准确度等.
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