【摘 要】
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采用GaSb体材料和InAs/GaSb超晶格分别作为短波与中波吸收材料,外延生长制备了NIPPIN型短中双色红外探测器.HRXRD及AFM测试表明,InAs/GaSb超晶格零级峰和GaSb峰半峰宽FWHM分别为17.57 arcsec和19.15 arcsec,10μm×10μm范围表面均方根粗糙度为1.82?.77 K下,SiO2钝化器件最大阻抗与面积乘积值RA为5.58×105Ω?cm2,暗电流密度为5.27×10-7 A?cm-2,侧壁电阻率为6.83×106Ω?cm.经阳极硫化后,器件最大RA值为
【机 构】
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云南师范大学云南省光电信息技术重点实验室,云南昆明650500;中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,北京100083;中国科学院大学材料科学与光电子工程中心,北京100049
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采用GaSb体材料和InAs/GaSb超晶格分别作为短波与中波吸收材料,外延生长制备了NIPPIN型短中双色红外探测器.HRXRD及AFM测试表明,InAs/GaSb超晶格零级峰和GaSb峰半峰宽FWHM分别为17.57 arcsec和19.15 arcsec,10μm×10μm范围表面均方根粗糙度为1.82?.77 K下,SiO2钝化器件最大阻抗与面积乘积值RA为5.58×105Ω?cm2,暗电流密度为5.27×10-7 A?cm-2,侧壁电阻率为6.83×106Ω?cm.经阳极硫化后,器件最大RA值为1.86×106Ω?cm2,暗电流密度为4.12×10-7A?cm-2,侧壁电阻率为4.49×107Ω?cm.相同偏压下,硫化工艺使器件暗电流降低1-2个数量级,侧壁电阻率提高了1个数量级.对硫化器件进行了光谱响应测试,器件具有依赖偏压极性的低串扰双色探测性能,其短波通道与中波通道的50％截止波长分别为1.55μm和4.62μm,在1.44μm、2.7μm和4μm处,响应度分别为0.415 A/W、0.435 A/W和0.337 A/W.
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