GaAs/AlxGa1-xAs球形量子点中的电子结构

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【摘要】

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详细讨论了GaAs/AlxGa1-xAs球形量子点内的单电子束缚能级随量子点半径、Al组分以及外电场的变化规律,并计算了考虑量子点内外电子有效质量不同后对电子能级的修正. 另外,用

【作者】

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王传道

【机构】

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中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室

【出处】

：

物理学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

球形量子点解析方法平面波展开方法有效质量

【基金项目】

：

国家自然科学基金;

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详细讨论了GaAs/AlxGa1-xAs球形量子点内的单电子束缚能级随量子点半径、Al组分以及外电场的变化规律,并计算了考虑量子点内外电子有效质量不同后对电子能级的修正. 另外,用解析和平面波展开两种方法对球形量子点内的电子能级进行了计算,并对计算结果做了比较,发现它们符合的很好. 结论和方法为量子点的研究和应用提供了有益的信息和指导.

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