【摘 要】
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H-PAF（Micro-porous aluminum fluoride）是一种比表面积为20200 m2/g的多孔性氟化物,具有熔点低、活性高等特性。在Eu2+∶（Sr,Ca）AlSiN3烧成工艺中作为助熔剂使用,与传统的氟化物
【机 构】
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西安鸿宇光电技术有限公司,北京中村宇极科技有限公司
【基金项目】
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陕西省重点研发计划（2017ZDXM-GY-031）, 陕西省科技统筹创新工程计划（2016KTCQ01-86）资助项目
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H-PAF（Micro-porous aluminum fluoride）是一种比表面积为20200 m2/g的多孔性氟化物,具有熔点低、活性高等特性。在Eu2+∶（Sr,Ca）AlSiN3烧成工艺中作为助熔剂使用,与传统的氟化物、硼酸等助熔剂相比,可以有效增加Eu2+∶（Sr,Ca）AlSiN3荧光粉在合成过程中总的反应活性,降低反应温度50℃以上,并改善荧光粉的发光性能。本文以H-PAF多孔性氟化物为助熔剂,合成了Eu2+∶（Sr,Ca）AlSiN3荧光粉,合成温度从1 800℃降低到1 750℃,而且XRD衍射峰更尖锐,说明H-PAF的添加使晶体结晶性更好。测试了Eu2+∶（Sr,Ca）AlSiN3荧光粉搭配Ga-YAG绿色荧光粉制成器件后的光效。发现添加PAF后,Eu2+∶（Sr,Ca）AlSiN3荧光粉用粉量降低约5%,器件光通量提高2%以上。
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