金—高纯硅MS结的容频关系

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同PN结一样,金属与半导体接触构成的MS结也具有势垒电容,其大小与半导体的电阻率和加在结上的电压密切相关.根据结的容压特性,可以得到半导体中杂质浓度及其分布以及接触电势差等信息.给MS结加上一定的直流反向电压V,利用CV测试仪、Q表或高频 As with the PN junction, the MS junction formed by the metal-semiconductor contact also has a barrier capacitance that is closely related to the resistivity of the semiconductor and the voltage applied to the junction.According to the capacitance-voltage characteristics of the junction, the impurity concentration in the semiconductor and Its distribution and contact potential difference and other information to the MS junction plus some DC reverse voltage V, CV tester, Q meter or high frequency
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