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1.概述负阻发光二极管是一种p-n-p-n四层结构的半导体发光器件.它具有负阻特性,故其有开关特性.硅四层结构器件如接成三端形式,便是可控硅器件.如果发光二极管所用的晶体做成两端p-n-p-n器件,就可获得负阻特性并在通态发光.以下,介绍其结构原理及应用.
负阻发光二极管的结构原理及应用
【摘 要】
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1.概述负阻发光二极管是一种p-n-p-n四层结构的半导体发光器件.它具有负阻特性,故其有开关特性.硅四层结构器件如接成三端形式,便是可控硅器件.如果发光二极管所用的晶体做成
【出 处】
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红外
【发表日期】
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2004年8期
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