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给出一种新的RF功率器件结构－梳状基区结构，在不增加本征集电路面积的情况下，该结构能显著改善RF功率晶体管散热特性，增大器件的耗散功率和输出功率，较好的缓解了传统的结构中高工作频率与大输出功率之间的矛盾，模拟分析表明，采用该结构，器件的雪崩击穿电压能提高到理想平行平面结的90％以上，器件的大电流特性和频率特性也有所改进，采用该技术制作的试验样管DCT375同传统结构器件相比，其热电特性得到显著的改善，这种结构为新型超高频，微波大功率管的研制开辟了新途径。