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在外加电场的条件下利用物理热蒸发法制备硫化镉晶须,借助扫描电子显微镜、X射线能谱分析仪和透射电子显微镜以及X射线衍射仪,研究外加电场对硫化镉晶须生长的影响.结果表明硫化镉晶须的生长应遵循氧化物辅助生长机制;无论外加电场存在与否,沉积温度越高,硫化镉晶须越粗越长,但是沉积温度对硫化镉晶须的形状没有影响;在有电场和无电场条件下的硫化镉晶须的形貌有很大差异,外加电场大大促进了硫化镉晶须沿一维方向上的生长,这可以由带电团簇模型来解释.