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在显示器件薄膜晶体管（thin film transistor，TFT）以及半导体制造工艺过程中，各个环节都有可能产生静电放电（electrostatic discharge，ESD）现象，引起器件性能下降，甚至破坏器件。本文结合生产工艺的实际情况，采用统计方法首先对某工艺环节的ESD现象进行定位，在此基础上结合聚焦离子束（focus ion bond，FIB）等试验结果，对其机理进行认真的分析研究，从设计和工艺改善两个方面出发，提出解决方案，收到了良好的改善效果，取得巨大的经济效益。