超级结沟槽刻蚀对击穿电压均匀性的改善

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超级结器件和传统功率器件相比有导通电阻低击穿电压高的特点,在汽车电子、低压电机、变频器、逆变器、电压控制器件和变压器等领域,具有越来越广泛的应用。本文针对如何改善超级结器件的击穿电压参数问题,从深沟槽的刻蚀工艺参数优化和硬件改造(BSR)等方面开展了研究,最终确定了以SF_6/O_2为主刻蚀气体,反应压力在30~35 mT,温度为15℃等为基准的刻蚀工艺条件。针对晶圆边缘的针状缺陷这一缺陷问题对机台进行了改造,开发了一种称为BSR(bottom shadow ring)的部件,加入这一部件后能够完全消除边
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