【摘 要】
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基于IHP 0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种工作于D波段的高增益低噪声放大器.该放大器由两级Cascode结构和一级共发射板结构组成.利用发射极退化电感来同时实现噪声抑制
【机 构】
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杭州电子科技大学“射频电路与系统”教育部重点实验室,杭州,310018
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基于IHP 0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种工作于D波段的高增益低噪声放大器.该放大器由两级Cascode结构和一级共发射板结构组成.利用发射极退化电感来同时实现噪声抑制和功率匹配,利用微带线进行输入输出匹配和级间匹配,采用增益提升技术来提高前两级Cascode结构的增益.仿真结果表明,该放大器在中心频率140 GHz处实现了32 dB的增益,在125～148 GHz范围内均达到30 dB以上的增益,在相同频率范围内实现了小于6 dB的噪声系数,直流功耗仅为26 mW,芯片尺寸为610 μm×340 μm.该放大器具有低噪声和高增益的特点.
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