【摘 要】
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采用射频磁控溅射法在不同厚度的ZnO缓冲层上制备了Al掺杂ZnO（AZO）薄膜.利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、紫外-可见分光光度计（UV-VIS）和荧光分光光度计（PL）等表征技术,研究
【机 构】
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西北师范大学物理与电子工程学院,甘肃省原子分子物理与功能材料重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（10874140）, 甘肃省自然科学基金资助项目（0710RJZA105）, 甘肃省高分子材料重点实验室开放基金资助项目（KF-05-03）
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采用射频磁控溅射法在不同厚度的ZnO缓冲层上制备了Al掺杂ZnO（AZO）薄膜.利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、紫外-可见分光光度计（UV-VIS）和荧光分光光度计（PL）等表征技术,研究了AZO薄膜的微观结构、表面形貌和发光特性.XRD分析结果表明,加入适当厚度的ZnO缓冲层后可有效地降低晶格失配和因热膨胀系数不同引起的晶格畸变.薄膜在可见光范围内的透射率随着缓冲层厚度的增加先增大后降低,平均透过率超过80%.通过对样品光致发光（PL）谱的研究发现ZnO缓冲层样品在室温下的光致发光峰
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