【摘 要】
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本文叙述了用于SEM的低压运用电子枪的设计计算方法及结果。计算中对采用点源的阴极区,利用球座标系统进行处理,从而提高了计算精度。计算表明在一定的几何尺寸范围内,通过调
【机 构】
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清华大学电子工程系,电子部第12研究所北京100084,北京100084,北京100016
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本文叙述了用于SEM的低压运用电子枪的设计计算方法及结果。计算中对采用点源的阴极区,利用球座标系统进行处理,从而提高了计算精度。计算表明在一定的几何尺寸范围内,通过调整调制极电压,均可得到较小的交叉斑尺寸。将计算结果直接应用到国产SEM中,采用LaB_6点状阴极做发射源,在加速电压为1kV时,分辨率优于150nm;为2kV时,优于80nm;为5kV时,优于20nm。实验证明计算方法是可靠的,具有实际的指导意义。
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