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本文用辐射加固和未加固的SIMOX（注氧隔离）SOI（绝缘体上硅）材料制作了Pseudo—MOS晶体管和nMOS晶体管，并进行了X射线总剂量辐射实验。结果表明加固工艺能有效提高SIMOX SOI材料的抗总剂量辐射能力，同时也表明Pseudo—MOS晶体管能有效的替代nMOS晶体管对SOI材料的抗总剂量辐射能力进行评估。