【摘 要】
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我们利用激光分子束外延设备(L-MBE)在MgO上外延生长了一系列BaNbxTi1-xO3(0＜x≤0.5)薄膜.X射线和Raman测量显示薄膜随Nb掺杂量的增加从四方相转变为立方相.同时电学测量表明,薄膜的导电类型从半导体转变为金属.室温电阻率随掺杂量单调下降,变化范围从101 to 10-4Ω.cm.薄膜的电阻-温度曲线可以利用小极化子模型很好的拟合.这说明薄膜内的载流子主要是极化子.光电子能谱显示在BaTiO3的带隙中存在局域态,进一步说明薄膜内的载流子为极化子.
【机 构】
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BeijingNationalLaboratoryforCondensedMatterPhysics,InstituteofPhysics,ChineseAcademyofSciences,Beiji
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我们利用激光分子束外延设备(L-MBE)在MgO上外延生长了一系列BaNbxTi1-xO3(0＜x≤0.5)薄膜.X射线和Raman测量显示薄膜随Nb掺杂量的增加从四方相转变为立方相.同时电学测量表明,薄膜的导电类型从半导体转变为金属.室温电阻率随掺杂量单调下降,变化范围从101 to 10-4Ω.cm.薄膜的电阻-温度曲线可以利用小极化子模型很好的拟合.这说明薄膜内的载流子主要是极化子.光电子能谱显示在BaTiO3的带隙中存在局域态,进一步说明薄膜内的载流子为极化子.
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