【摘 要】
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采用平面波超软赝势密度泛函理论计算方法研究了p型Cu掺杂的纤锌矿结构氧化物ZnO的电子结构,在此基础上分析了其电输运性能。计算结果表明,Cu掺杂ZnO氧化物具有0.6 eV的直接
【机 构】
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广西民族师范学院物理与电子工程系,河南城建学院数理系,北京工业大学材料科学与工程学院新型功能材料教育部重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金项目（50801002）,广西高等教育教改工程项目（2013JGA256）,广西教育厅科研立项项目（200911LX473）,广西民族师范学院科研项目（XYYB2011026）资助
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采用平面波超软赝势密度泛函理论计算方法研究了p型Cu掺杂的纤锌矿结构氧化物ZnO的电子结构,在此基础上分析了其电输运性能。计算结果表明,Cu掺杂ZnO氧化物具有0.6 eV的直接带隙,且为p型半导体,在导带和价带中都出现了由Cu电子能级形成的能带,体系费米能级附近的能带主要由Cu p态、Cu d态和O p态电子构成,且他们之间存在着强相互作用。电输运性能分析结果表明,Cu掺杂的ZnO氧化物价带中的载流子有效质量较大,导带中的载流子有效质量较小;其载流子输运主要由Cu p态、Cu d态、O p态电子完成,且
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