【摘 要】
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为了解决发射极钝化和背面接触(Psssivated emitter and rear contact)单晶硅太阳能电池(以下简称PERC电池)背电场质量差、孔洞问题,对硅片背面形貌和激光开槽宽度进行了优化
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为了解决发射极钝化和背面接触(Psssivated emitter and rear contact)单晶硅太阳能电池(以下简称PERC电池)背电场质量差、孔洞问题,对硅片背面形貌和激光开槽宽度进行了优化。通过进行背面抛光和激光开槽宽度的优化,可有效降低表面的能态密度,杜绝孔洞的出现并形成均匀的P~+层,进而减少电池背表面的复合速率,通过工艺优化,电池转换效率达到19.82%,比改进工艺前生产的电池转换效率提高了0.63%。另外,背面抛光工艺可明显提高背面氧化硅和氮化硅的沉积速度,从而增加设备利用率。
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