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氧化铟是一种重要的n型半导体,其直接带隙为3.55~3.75 eV,具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性。氧化铟材料对氧化性气体和还原性气体都表现出良好的气敏性能,因此被广泛应用于半导体气体传感器中。本文总结了氧化铟对二氧化氮、丙酮、乙醇和氯气等典型气体的气敏性能的研究现状,并指出了其今后的研究方向。