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研究了一种新型P+PIN结构的硅650 nm光电探测器,采用N型硅衬底,经过氧化光刻后,先作一次很薄淡硼扩散,再进行浓硼扩散,这样形成高低发射结的方法,减薄死层厚度,减少光生载流子的复合,提高了光电转换效率,从而使光谱响应度从普通650 nm光电探测器的0.30 A/W提高到了0.380 A/W,且具有约279 MHz的较高响应速度.