纳米SiO2掺杂的In2O3厚膜气敏传感器稳定性研究

来源 :传感器世界 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xys0709

【摘要】

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采用丝网印刷技术,制备了纳米SiO2掺杂的In2O3厚膜气敏传感器,并通过加速寿命试验对乙醇气氛下传感器的稳定性进行探究.通过长期测试发现纳米SiO2的掺入明显地提高了In2O3气

【作者】

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邓小双张顺平赵野杨超群熊雅

【机构】

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华中科技大学纳米材料与智能传感器实验室

【出处】

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传感器世界

【发表日期】

：

2014年2期

【关键词】

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IN2O3 纳米SIO2 气敏传感器稳定性 In2O3 nano-scale SiO2 gas sensor stability

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采用丝网印刷技术,制备了纳米SiO2掺杂的In2O3厚膜气敏传感器,并通过加速寿命试验对乙醇气氛下传感器的稳定性进行探究.通过长期测试发现纳米SiO2的掺入明显地提高了In2O3气敏传感器的稳定性.此外,当SiO2的掺杂浓度控制在5wt％左右时,In2O3气敏传感器的气敏性能也有了很大的提高.结合实验数据,对SiO2提高In2O3气敏传感器稳定性与敏感性的微观机理做了深入分析.

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