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用表面光伏方法研究半绝缘GaAs的禁带宽度
用表面光伏方法研究半绝缘GaAs的禁带宽度
来源 :福州大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:breeze001
【摘 要】
:
根据所建立的半绝缘(SI)GaAs的禁带宽度EgΓ公式,利用表面光伏(SPV)方法的测量结果,计算了室温下5种样品的EgΓ值,并对其中之一进行了21-300K温度范围的EgΓ计算,确认了SPV方
【作 者】
:
王松柏
张声豪
【机 构】
:
福州大学信息科学与技术学院,厦门大学物理系
【出 处】
:
福州大学学报
【发表日期】
:
2004年期
【关键词】
:
半绝缘GaAs
禁带宽度EgΓ
表面光伏
【基金项目】
:
福建省教育厅科研项目
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根据所建立的半绝缘(SI)GaAs的禁带宽度EgΓ公式,利用表面光伏(SPV)方法的测量结果,计算了室温下5种样品的EgΓ值,并对其中之一进行了21-300K温度范围的EgΓ计算,确认了SPV方法对研究SI-GaAs禁带宽度的可行性.
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