ZnSe／ZnCdSe多量子阱激子光学非线性

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liongliong537

【摘要】

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本文采用泵浦－探测技术研究了ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ多量子阱室温激子饱和吸收，并根据Ｋ－Ｋ关系计算得到５２１．６ｎｍ至５４４ｎｍ的光学非线性折射率的变化．观测到由折射率变化引起的ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳｅ多量子阱光双稳器件的室温激子光双稳．根据ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ多量

【作者】

：

栗红玉申德振

【机构】

：

中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1998年1期

【关键词】

：

多量子阱激子光学非线性宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体 Nonlinear optics Semiconductor quantum wells

【基金项目】

：

中国科学院院长基金

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本文采用泵浦－探测技术研究了ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ多量子阱室温激子饱和吸收，并根据Ｋ－Ｋ关系计算得到５２１．６ｎｍ至５４４ｎｍ的光学非线性折射率的变化．观测到由折射率变化引起的ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳｅ多量子阱光双稳器件的室温激子光双稳．根据ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ多量子阱的激子吸收谱及激子的非线性理论，归结其主要非线性机制为激子态的相空间填充和激子带展宽．

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