SiGe缓冲层对β-SiC（n）／c—Si（p）异质结特性的影响

来源 :兰州交通大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：woshizd0214

【摘要】

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SiC／Si的界面特性严重影响着SiC／Si异质结的电学特性及光学特性．在β-SiC（n）／c—Si（p）异质结中引入SiGe缓冲层，构造了Al／β-SiC（n）／SiGe／c-Si（p）／Al典型的三明治异质结结构．对带有和不带SiGe缓

【作者】

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张彩珍刘肃陈永刚吴蓉刘春娟

【机构】

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兰州交通大学电子与信息工程学院,兰州大学物理科学与技术学院,兰州交通大学自动化与电气工程学院

【出处】

：

兰州交通大学学报

【发表日期】

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2008年4期

【关键词】

：

异质结 SiGe缓冲层 SEM QE heterojunetion SiGe buffer layer SEM QE

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SiC／Si的界面特性严重影响着SiC／Si异质结的电学特性及光学特性．在β-SiC（n）／c—Si（p）异质结中引入SiGe缓冲层，构造了Al／β-SiC（n）／SiGe／c-Si（p）／Al典型的三明治异质结结构．对带有和不带SiGe缓冲层的β-SiC（n）／c-Si（p）异质结的界面SEM图像，正反向I—V特性曲线及叩作了对比研究，理论和实验均表明，SiGe缓冲层的引入可以有效地改善β-SiC（n）／c—Si（p）异质结的界面特性，减少界面缺陷，从而提高异质结的反向击穿电压及整流比，展宽异质结光谱响

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