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采用1．2μm CMOS工艺技术制作出台阶沟道直接注入(SCDI)快闪存储器件，该种器件具有良好的器件特性，在Vg=6V，Vd=5V的编程条件下，SCDI器件的编程速度是42μs，在Vg=8V，Vb=8V的擦除条件下，SCDI器件的擦除速度是24ms，与相同器件尺寸的普通平面型的快闪存储器件相比，SCDI器件的特性得到了显著地提高，在制作SCDI器件的工艺中，关键技术是制作合适的深度和倾斜角度的浅的台阶，同时减少在制作Si3N4侧墙的刻蚀损伤。