【摘 要】
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目的研究在电子回旋共振等离子体辅助法生长GaN时的离子密度对其质量的影响. 方法用朗缪尔探针测量离子密度,用X射线双晶衍射及霍尔测量分析GaN的质量与性能. 结果离子密度越
【机 构】
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北京理工大学材料科学研究中心,中国科学院物理研究所
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目的研究在电子回旋共振等离子体辅助法生长GaN时的离子密度对其质量的影响. 方法用朗缪尔探针测量离子密度,用X射线双晶衍射及霍尔测量分析GaN的质量与性能. 结果离子密度越高,薄膜的质量与性能就越好. 当生长GaN时的离子密度为2.0×1011 cm-3时,所得GaN晶膜的氮镓量比接近于1,本底电子密度为3.7×1018 cm-3,X射线双晶衍射回摆曲线的半高宽为16 arcmin. 结论提高离子密度能明显提高GaN的质量与性能.
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