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晶体的生长习性是在一定条件下经常出现的晶体形貌。它不仅由晶体的内部结构决定 ,而且受其外部条件的影响。有关晶体生长习性的实验工作已经作了大量报道。但是其理论研究工作却存在许多问题。BFDH法则从晶体的面网密度角度预测晶体的生长习性 ;PBC理论从键链角度给出了晶体的理论生长习性 ,但上述模型在解释晶体生长习性的问题上存在着一定的不足 ,例如不能合理地解释极性晶体 (如ZnO ,SiO2 )以及一些非极性晶体 (如α Al2 O3 )的生长习性。1 994年仲维卓教授首先提出负离子配位多面体生长基元模型。解