【摘 要】
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基于多输入浮栅MOS晶体管的分析，系统研究准浮栅MOS晶体管的工作原理、电气特性及等效电路，计总结其用于超低电压模拟电路设计的优势。基于CMOS准浮栅技术，提出了0．8V两级运算放
【基金项目】
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国家自然科学基金(60476046);部委基金(51408010203DZ0124、51408010304DZ0140、51408010205DZ0164);国家重点实验室基金(51433030103DZ0101)资助
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基于多输入浮栅MOS晶体管的分析，系统研究准浮栅MOS晶体管的工作原理、电气特性及等效电路，计总结其用于超低电压模拟电路设计的优势。基于CMOS准浮栅技术，提出了0．8V两级运算放大器和1V 2．4 GHz Gilbert混频器电路，并采用TSMC 0．25 μm 2P5MC MOS工艺的Bsim3V3模型完成了特性仿真，仿真结果显示了准浮栅技术用于超低电压模拟电路设计的优势。
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