【摘 要】
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归纳总结了锑掺杂二气化锡（ATO）的导电机理,晶格的氧缺位、5价Sb杂质在SnO2禁带形成施主能级并向导带提供n-型载流于是ATO导电的两种主要机理。从材料的电导率公式出发,定性分
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归纳总结了锑掺杂二气化锡（ATO）的导电机理,晶格的氧缺位、5价Sb杂质在SnO2禁带形成施主能级并向导带提供n-型载流于是ATO导电的两种主要机理。从材料的电导率公式出发,定性分析了二氧化锡中掺杂锑的含量存在理论最佳值,根据已有模型计算证明了锑掺杂二氧化锡电导率存在理论上限。掺杂二氧化锡中锑的最佳理论含量为1.49％（质量分数）,锑掺杂二氧化锡理论电导率最高为0.2×104（Ω·cm）-1,氧空位对ATO电导率的贡献为0.1392×104（n·cm）-1,大于掺杂电子对ATO电导率的贡献(0.061×104（Ω·cm）-1)。
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