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本文实时测定了312.16K时一水甲酸锂晶体(LFM)(010)和(021)面的生长速率。根据Bennema修正的用于水溶液晶体生长的BCF表面扩散模型，计算了晶体生长过程的激活能以及动力学系数。结果表明LFM晶体生长主要是表面扩散控制的螺位错生长机制。
一水甲酸锂晶体生长动力学和生长机理的研究
【摘 要】
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本文实时测定了312.16K时一水甲酸锂晶体(LFM)(010)和(021)面的生长速率。根据Bennema修正的用于水溶液晶体生长的BCF表面扩散模型，计算了晶体生长过程的激活能以及动力学系数
【机 构】
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山东大学
【出 处】
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人工晶体学报
【发表日期】
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2001年2期
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