【摘 要】
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为了解析能量歧离与入射质子能量、靶材料及厚度的关系,利用Geant4程序模拟100 keV~2 MeV质子垂直入射Be、C、H2O、Al、Cu薄膜的方法。结果给出能量歧离与薄膜厚度、薄膜材料
【机 构】
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黑龙江省科学院技术物理研究所第三研究室
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为了解析能量歧离与入射质子能量、靶材料及厚度的关系,利用Geant4程序模拟100 keV~2 MeV质子垂直入射Be、C、H2O、Al、Cu薄膜的方法。结果给出能量歧离与薄膜厚度、薄膜材料及入射质子能量的关系。得出能量歧离主要发生在入射质子100~200 keV能量范围内,且薄膜厚度越大,靶材料面电子密度越大,能量歧离越大;入射质子能量越大,能量歧离越小的结论。
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