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根据集邦科技(Trend Force)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，全球DRAM产业第三季营收数字达108亿美元，虽然DRAM总产出量较第二季约增长15％，但由于第三季合约价跌幅超乎预期，与第二季营收104亿美元做比较，仅微幅增长约3.4％。
由于第三季DRAM合约价受到DRAM产出增加与PC需求旺季不如预期影响，DRAM价格呈现下滑走势，第三季DDR3 2GB合约均价为40美元，较上季的46美元下滑约13％，现货市场DDR3 1Gb eTT颗粒均价则较上季下跌18％至2.27美元，DDR2.1 Gb eTT则下跌约16％左右。
由于DRAM价格自第三季开始急速下滑，DRAM厂纷纷对未来资本支出转趋保守，如三星Fab16的建设，将视未来市场状况做调整，力晶亦下修资本支出约20％至160亿台币，瑞晶R2厂扩厂计划也延后讨论，预估此波DRAM价格下跌，第四季跌幅将增大至30％以上，价格可望在明年第一季或第二季落底，DRAM厂可能在明年上半年资本支出将保守以对。
从全球DRAM厂自有品牌内存营收排名来分析，三星营收仍居全球DRAM厂之冠，与第二季相比增长21.9％，营收增长贡献来自DRAM产出增加20％以上，DRAM均价也微幅上扬，DRAM之市占率由2Q10的34.3％大幅增长至40.4％。海尼士的DRAM市占率则微幅下跌，由上季之21.6％下跌至19.8％，主要因为46nm良率提升不如预期，DRAM产出仅增加2％，均价下跌9％所致。尔必达，第三季营收与第二季相比下降约9.4％，市占率也由18.4％下降至16.1％ 主要在40nm制程上转进仍居初期，产出仅微幅增长。
美光本季营收下跌约10％，市占率也下跌，由13.8％下跌至12％ 主要在华亚科制程转换，投片及产出减少，因此美光本季DRAM产出减少12％，DRAM均价也微幅下跌。南科第三季营收下滑约5.2％，虽然来自华亚科厂的产出减少，自有DRAM产出增长率在50nm转进及投片增加下，总销售位本季增长14％，但DRAM销售价格下跌15％，市占率由4.5％微幅下降至4.2％力晶为台系厂表现最佳的厂商，第三季营收为2.75亿美元，与第二季相比上升12.9％，来自63nm制程比例增加及良率提升。华邦虽然第三季营收比第二季下滑2.7％，但由于华邦已经淡出标准型内存市场，较不受此波DRAM价格下探影响，对于后续表现仍可抱持谨慎乐观的态度。(表1)
由于第三季DRAM合约价受到DRAM产出增加与PC需求旺季不如预期影响，DRAM价格呈现下滑走势，第三季DDR3 2GB合约均价为40美元，较上季的46美元下滑约13％，现货市场DDR3 1Gb eTT颗粒均价则较上季下跌18％至2.27美元，DDR2.1 Gb eTT则下跌约16％左右。
由于DRAM价格自第三季开始急速下滑，DRAM厂纷纷对未来资本支出转趋保守，如三星Fab16的建设，将视未来市场状况做调整，力晶亦下修资本支出约20％至160亿台币，瑞晶R2厂扩厂计划也延后讨论，预估此波DRAM价格下跌，第四季跌幅将增大至30％以上，价格可望在明年第一季或第二季落底，DRAM厂可能在明年上半年资本支出将保守以对。
从全球DRAM厂自有品牌内存营收排名来分析，三星营收仍居全球DRAM厂之冠，与第二季相比增长21.9％，营收增长贡献来自DRAM产出增加20％以上，DRAM均价也微幅上扬，DRAM之市占率由2Q10的34.3％大幅增长至40.4％。海尼士的DRAM市占率则微幅下跌，由上季之21.6％下跌至19.8％，主要因为46nm良率提升不如预期，DRAM产出仅增加2％，均价下跌9％所致。尔必达，第三季营收与第二季相比下降约9.4％，市占率也由18.4％下降至16.1％ 主要在40nm制程上转进仍居初期，产出仅微幅增长。
美光本季营收下跌约10％，市占率也下跌，由13.8％下跌至12％ 主要在华亚科制程转换，投片及产出减少，因此美光本季DRAM产出减少12％，DRAM均价也微幅下跌。南科第三季营收下滑约5.2％，虽然来自华亚科厂的产出减少，自有DRAM产出增长率在50nm转进及投片增加下，总销售位本季增长14％，但DRAM销售价格下跌15％，市占率由4.5％微幅下降至4.2％力晶为台系厂表现最佳的厂商，第三季营收为2.75亿美元，与第二季相比上升12.9％，来自63nm制程比例增加及良率提升。华邦虽然第三季营收比第二季下滑2.7％，但由于华邦已经淡出标准型内存市场，较不受此波DRAM价格下探影响，对于后续表现仍可抱持谨慎乐观的态度。(表1)