【摘 要】
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据《Compound Semiconductor》2007年第2期报道,Strategy Analytics预测公司认为:来自硅材料的压力日渐薄弱,在未来5年内,GaAs HBT和GaAsPHEMT将逐渐占领无线通信的前端市场
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据《Compound Semiconductor》2007年第2期报道,Strategy Analytics预测公司认为:来自硅材料的压力日渐薄弱,在未来5年内,GaAs HBT和GaAsPHEMT将逐渐占领无线通信的前端市场。多种模式、多种频段的蜂窝结构的出现,大大增加了手机对功率放大器的线性和效率的要求。在这个领域GaA
According to Compound Semiconductor, Issue 2, 2007, Strategy Analytics predicts the company believes pressure from silicon materials is getting weaker and GaAs HBT and GaAsPHEMT will gradually take over the wireless communications front-end market over the next five years. The emergence of a variety of modes and a variety of frequency band cellular structures greatly increases the handset’s linearity and efficiency requirements for the power amplifier. GaA in this area
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西南日本晚侏罗世——白垩纪初的造山带以中央构造线(MTL)为界,分为内带和外带两个部分,它们均由一系列推覆体组成。(1)内带中,由飞弹和中国组成的古生代内腹地逆掩在被切割
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77275部队以建设生态化营区为目标,着眼人与自然和谐相处,坚持求美与实用协调统一,使整个营区体现出“人在景中、房在林中、营在园中”的特色。先后被评为“全军绿化先进单位
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