全范围掺杂调制强黄色发光Gd0.5–yTb1.5REyW3O12(RE=Eu,Sm)荧光粉的研究

来源 :无机材料学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：angelagao00

【摘要】

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黄光荧光材料在近紫外(NUV)芯片激发的白光发光二极管(W-LED)的制造中起重要作用。在本研究中,通过在Gd2W3O12基质中共掺Tb^3+/Eu^3+或Tb^3+/Sm^3+,从而获得较强的黄光发射。

【作者】

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代艳南杨帅沈阳单永奎杨帆赵庆彪

【机构】

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华东师范大学化学与分子工程学院,华东师范大学光信息科学与工程系

【出处】

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无机材料学报

【发表日期】

：

2019年11期

【关键词】

：

固相合成荧光钨酸盐稀土内量子效率 solid state synthesis photoluminescence tungstate rare eart

【基金项目】

：

The Startup Funding of East China Normal University(11200-120215-10363)

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黄光荧光材料在近紫外(NUV)芯片激发的白光发光二极管(W-LED)的制造中起重要作用。在本研究中,通过在Gd2W3O12基质中共掺Tb^3+/Eu^3+或Tb^3+/Sm^3+,从而获得较强的黄光发射。由于Gd^3+的有效激发通常在深紫外区,在Gd2W3O12中并不会被382 nm的紫外光激发,因此Gd^3+对Tb^3+/Eu^3+、Tb^3+/Sm^3+共掺杂的黄光发射并无影响。而Tb^3+与Gd^3+具有相似的离子半径, Tb3+在全浓度范围内可以对Gd^3+进行取代。当Tb^3+离子掺杂浓度为75

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