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二硒化锗(GeSe2)作为一种层状Ⅳ-Ⅵ族半导体,具有面内各向异性结构及宽能带间隙,表现出了独特的光、电及热学性能.本文利用偏振拉曼光谱和线性吸收谱分别对GeSe2纳米片的晶轴取向和能带特性进行表征,并以此为依据采用微区I扫描系统研究了GeSe2在共振能带附近的光学非线性吸收机制.结果表明,GeSe2中非线性吸收机制为饱和吸收与激发态吸收的叠加,且对入射光偏振与波长均有强烈的依赖.近共振激发(450 nm)条件下,激发态吸收对偏振的依赖程度比较大,随着入射光偏振的不同,非线性调制深度可由4.6%变化至9.