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首先给出了阳离子交换膜浓差极化物理模型,然后利用该模型分析了电渗析制备硅溶胶过程中Um-J曲线的特性,阐明了利用Um-J曲线确定浓差极化电流密度的理论依据,阐述了Um-J曲线上两个拐点的理化本质,其中的拐点2所对应的电流密度是在该实验条件下(XSio2=4%,θ=50℃,cNa+=0.118 9 mol·L-1)的极限电流密度,并根据Jlim和cNa+的关系,计算出电渗析法制备硅溶胶过程中的膜边界层厚度δ为7.68×10-6m,同时得出了电渗析装置应在极限电流密度下运行这一结论.